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2019-2020年高考化學(xué)考點(diǎn)突破訓(xùn)練 12.2微粒間作用力與物質(zhì)的性質(zhì).doc

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2019-2020年高考化學(xué)考點(diǎn)突破訓(xùn)練 12.2微粒間作用力與物質(zhì)的性質(zhì).doc

2019-2020年高考化學(xué)考點(diǎn)突破訓(xùn)練 12.2微粒間作用力與物質(zhì)的性質(zhì) 1.有下列八種晶體: A.水晶 B.冰醋酸 C.氧化鎂 D.白磷 E.晶體氬 F.氯化銨 G.鋁 H.金剛石 用選項(xiàng)字母回答下列問題: (1)屬于原子晶體的化合物是________。直接由原子構(gòu)成的晶體是________,直接由原子構(gòu)成的分子晶體是________。 (2)由極性分子構(gòu)成的晶體是________,含有共價(jià)鍵的離子晶體是________,屬于分子晶體的單質(zhì)是________。 (3)在一定條件下能導(dǎo)電而不發(fā)生化學(xué)變化的是________,受熱熔化后化學(xué)鍵不發(fā)生變化的是________,需克服共價(jià)鍵的是________。 解析 首先正確的判斷晶體類型,其次注意題目的附加要求,如屬于原子晶體的化合物,另外稀有氣體為單原子分子,金屬晶體導(dǎo)電時(shí)僅有自由電子在外加電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng),屬物理變化。 答案 (1)A AEH E (2)B F DE (3)G BD AH 2.現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表: A組 B組 C組 D組 金剛石:3 110 ℃ Li:181 ℃ HF:-83 ℃ NaCl:801 ℃ 硅晶體:1 410 ℃ Na:98 ℃ HCl:-114 ℃ KCl:776 ℃ 硼晶體:2 300 ℃ K:64 ℃ HBr:-89 ℃ RbCl:718 ℃ 二氧化硅:1 723 ℃ Rb:39 ℃ HI:-51 ℃ CsCl:645 ℃ 據(jù)此回答下列問題: (1)A組屬于________晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是________________。 (2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是________(填序號(hào))。 ①有金屬光澤?、趯?dǎo)電性 ③導(dǎo)熱性?、苎诱剐? (3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于___________________。 (4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是________(填序號(hào))。 ①硬度小?、谒芤耗軐?dǎo)電?、酃腆w能導(dǎo)電?、苋廴跔顟B(tài)能導(dǎo)電 解析 A組熔點(diǎn)高,而且已知金剛石、硅為原子晶體;B組為金屬晶體,所以應(yīng)該具備金屬晶體的性質(zhì);C組中HF分子間存在氫鍵;D組為離子晶體,具備離子晶體的性質(zhì)。 答案 (1)原子 共價(jià)鍵 (2)①②③④ (3)HF分子間能形成氫鍵,其熔化時(shí)需要消耗的能量更多 (4)②④ 3.有A、B、C三種晶體,分別由H、C、Na、Cl四種元素中的一種或幾種組成,對(duì)這三種晶體進(jìn)行實(shí)驗(yàn),結(jié)果如表: 序號(hào) 熔點(diǎn)/℃ 硬度 水溶性 導(dǎo)電性 水溶液與 Ag+反應(yīng) A 811 較大 易溶 水溶液或 熔融導(dǎo)電 白色沉淀 B 3 500 很大 不溶 不導(dǎo)電 不反應(yīng) C -114.2 很小 易溶 液態(tài) 不導(dǎo)電 白色沉淀 (1)晶體的化學(xué)式分別為A________________、B_____________、C________________。 (2)晶體的類型分別是A________________、B______________、C________________。 (3)晶體中微粒間作用力分別是A____________、B___________、C________________。 解析 根據(jù)A、B、C所述晶體的性質(zhì)可知,A為離子晶體,只能為NaCl,微粒間的作用力為離子鍵;B應(yīng)為原子晶體,只能為金剛石,微粒間的作用力為共價(jià)鍵;C應(yīng)為分子晶體,且易溶,只能為HCl,微粒間的作用力為范德華力。 答案 (1)NaCl C HCl (2)離子晶體 原子晶體 分子晶體 (3)離子鍵 共價(jià)鍵 范德華力 歸納總結(jié) 晶體類型的判斷 1.依據(jù)組成晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)和質(zhì)點(diǎn)間的作用判斷 離子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是陰、陽離子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是離子鍵;原子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是原子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是共價(jià)鍵;分子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是分子,質(zhì)點(diǎn)間的作用為分子間作用力,即范德華力;金屬晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是金屬陽離子和自由電子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是金屬鍵。 2.依據(jù)物質(zhì)的分類判斷 金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(如NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外)、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等;常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。金屬單質(zhì)(常溫除汞外)與合金是金屬晶體。 3.依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷 離子晶體的熔點(diǎn)較高,常在數(shù)百至1 000余度。原子晶體熔點(diǎn)高,常在1 000度至幾千度。分子晶體熔點(diǎn)低,常在數(shù)百度以下至很低溫度,金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高,但也有相當(dāng)?shù)偷摹? 4.依據(jù)導(dǎo)電性判斷 離子晶體水溶液及熔化時(shí)能導(dǎo)電。原子晶體一般為非導(dǎo)體,石墨能導(dǎo)電。分子晶體為非導(dǎo)體,而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和非金屬氫化物)溶于水,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由離子也能導(dǎo)電。金屬晶體是電的良導(dǎo)體。 5.依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷 離子晶體硬度較大或硬而脆。原子晶體硬度大,分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有較低的,且具有延展性。 考點(diǎn)2 晶體熔沸點(diǎn)高低的比較 1.不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體。 金屬晶體的熔、沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等;有的則很低,如汞、鎵、銫等。 2.由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的,鍵長短,鍵能大,晶體的熔、沸點(diǎn)高。如:金剛石>石英>碳化硅>硅。 3.離子晶體要比較離子鍵的強(qiáng)弱。一般地說,陰、陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用就越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgO>MgCl2>NaCl>CsCl。 4.分子晶體:組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如熔、沸點(diǎn):O2>N2,HI>HBr>HCl。組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì),分子極性越大,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):CO>N2,在同分異構(gòu)體中,一般來說,支鏈數(shù)越多,熔、沸點(diǎn)越低,如沸點(diǎn):正戊烷>異戊烷>新戊烷;芳香烴及其衍生物的同分異構(gòu)體,其熔、沸點(diǎn)高低順序是“鄰位>間位>對(duì)位”化合物。 特別提醒 (1)若分子間有氫鍵,則分子間作用力比結(jié)構(gòu)相似的同類晶體大,故熔沸點(diǎn)較高。例如:熔、沸點(diǎn):HF>HI>HBr>HCl。 (2)金屬晶體中金屬離子半徑越小,離子電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高。如熔、沸點(diǎn):Na<Mg<Al。 (3)元素周期表中第ⅦA族鹵素的單質(zhì)(分子晶體)的熔、沸點(diǎn)隨原子序數(shù)遞增而升高;第ⅠA族堿金屬元素的單質(zhì)(金屬晶體)的熔、沸點(diǎn)隨原子序數(shù)的遞增而降低。如熔、沸點(diǎn): Li>Na>K>Rb>Cs。 (4)根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同,熔、沸點(diǎn):固體>液體>氣體。例如:S>Hg>O2。 題組訓(xùn)練 4.下列分子晶體中,關(guān)于熔、沸點(diǎn)高低的敘述中,正確的是(  ) A.Cl2>I2 B.SiCl4<CCl4 C.NH3>PH3 D.C(CH3)4>CH3CH2CH2CH2CH3 解析 A、B項(xiàng)屬于無氫鍵存在的分子結(jié)構(gòu)相似的情況,相對(duì)分子質(zhì)量大的熔、沸點(diǎn)高;C選項(xiàng)屬于分子結(jié)構(gòu)相似的情況,但存在氫鍵的熔沸點(diǎn)高;D項(xiàng)屬于相對(duì)分子質(zhì)量相同,但分子結(jié)構(gòu)不同的情況,支鏈少的熔、沸點(diǎn)高。 答案 C 5.NaF、NaI和MgO均為離子晶體,有關(guān)數(shù)據(jù)如下表: 物質(zhì) ①NaF ②NaI ③MgO 離子電荷數(shù) 1 1 2 鍵長(10-10 m) 2.31 3.18 2.10 試判斷,這三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是(  ) A.①>②>③      B.③>①>② C.③>②>① D.②>①>③ 解析 NaF、NaI、MgO均為離子晶體,它們?nèi)埸c(diǎn)高低由離子鍵強(qiáng)弱決定,而離子鍵的強(qiáng)弱與離子半徑和離子電荷數(shù)有關(guān),MgO中鍵長最短,離子電荷數(shù)最高,故離子鍵最強(qiáng),熔點(diǎn)最高。 答案 B 6.下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高的順序排列正確的是(  ) ①O2、I2、Hg?、贑O、KCl、SiO2?、跱a、K、Rb?、躈a、Mg、Al A.①③ B.①④ C.②③ D.②④ 解析?、僦蠬g在常溫下為液態(tài),而I2為固態(tài),故①錯(cuò);②中SiO2為原子晶體,其熔點(diǎn)最高,CO是分子晶體,其熔點(diǎn)最低,故②正確;③中Na、K、Rb價(jià)電子數(shù)相同,其原子半徑依次增大,金屬鍵依次減弱,熔點(diǎn)逐漸降低,故③錯(cuò);④中Na、Mg、Al價(jià)電子數(shù)依次增多,原子半徑逐漸減小,金屬鍵依次增強(qiáng),熔點(diǎn)逐漸升高,故④正確。 答案 D 7.參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題: 物質(zhì) NaF NaCl NaBr NaI NaCl KCl RbCl CsCl 熔點(diǎn)/℃ 995 801 755 651 801 776 715 646 物質(zhì) SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 SiCl4 GeCl4 SnCl4 PbCl4 熔點(diǎn)/℃ -90.4 -70.4 5.2 120 -70.4 -49.5 -36.2 -15 (1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵素離子及堿金屬離子的__________有關(guān),隨著__________的增大,熔點(diǎn)依次降低。 (2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與__________有關(guān),隨著__________增大,__________增大,故熔點(diǎn)依次升高。 (3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與__________有關(guān),因?yàn)開____________________________,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。 解析 分析表中的物質(zhì)和數(shù)據(jù):NaF、NaCl、NaBr、NaI均為離子晶體,它們的陽離子相同,陰離子隨著離子半徑的增大,離子鍵依次減弱,熔點(diǎn)依次降低。NaCl、KCl、RbCl、CsCl四種堿金屬的氯化物均為離子晶體,它們的陰離子相同,陽離子隨著離子半徑的增大,離子鍵逐漸減弱,熔點(diǎn)依次降低。SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4四種硅的鹵化物均為分子晶體,它們的結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。SiCl4、GeCl4、SnCl4、PbCl4四種碳族元素的氯化物均為分子晶體。它們的組成和結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。 答案 (1)半徑 半徑 (2)相對(duì)分子質(zhì)量 相對(duì)分子質(zhì)量 分子間作用力 (3)晶體類型 鈉的鹵化物為離子晶體,而硅的鹵化物為分子晶體 考點(diǎn)3 常見晶體結(jié)構(gòu)的分析 1.原子晶體(金剛石和二氧化硅) 鍵角為109°28′,每個(gè)最小的環(huán)上有6個(gè)碳原子。SiO2(正四面體)鍵角(O—Si鍵)為109°28′,每個(gè)最小的環(huán)上有12個(gè)原子,其中,有6個(gè)Si和6個(gè)O。 2.分子晶體(干冰) 每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè)。 3.離子晶體 (1)NaCl型。 在晶體中,每個(gè)Na+同時(shí)吸引6個(gè)Cl-,每個(gè)Cl-同時(shí)吸引6個(gè)Na+,配位數(shù)為6。每個(gè)晶胞4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-。 (2)CsCl型。 在晶體中,每個(gè)Cl-吸引8個(gè)Cs+,每個(gè)Cs+吸引8個(gè)Cl-,配位數(shù)為8。 (3)晶格能。 ①定義:氣態(tài)離子形成1摩爾離子晶體釋放的能量,單位kJ/mol,通常取正值。 ②影響因素: a.離子所帶電荷:離子所帶電荷越多,晶格能越大。 b.離子的半徑:離子的半徑越小,晶格能越大。 ③與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系:晶格能越大,形成的離子晶體越穩(wěn)定,且熔點(diǎn)越高,硬度越大。 4.金屬晶體 (1)金屬鍵——電子氣理論。 金屬陽離子與自由電子間的強(qiáng)相互作用。 (2)金屬晶體的幾種典型堆積模型。 堆積模型 采納這種堆積 的典型代表 空間利 用率 配位數(shù) 晶胞 簡單立方 Po 52% 6 鉀型 (體心立方) Na、K、Fe 68% 8 鎂型 (六方最密) Mg、Zn、Ti 74% 12 銅型 (面心立方) Cu、Ag、Au 74% 12 題組訓(xùn)練 8.下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞示意圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是________(填選項(xiàng)字母)。 解析 冰屬于分子晶體,干冰、碘也屬于分子晶體;B為干冰晶胞,C為碘晶胞。 答案 BC 9.(1)將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于________層,配位數(shù)是________;B屬于________層,配位數(shù)是________。 (2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是________,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是________。 (3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式。釙位于元素周期表的第________周期第________族,元素符號(hào)是________,最外電子層的電子排布式是________。 答案 (1)非密置 4 密置 6 (2)6 1 (3)六?、鯝 Po 6s26p4 10.根據(jù)圖回答問題: (1)A圖是某離子化合物的晶胞(組成晶體的一個(gè)最小單位),陽離子位于中間,陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn),該化合物中陽、陰離子的個(gè)數(shù)比是______。 (2)B圖表示構(gòu)成NaCl晶體的一個(gè)晶胞,通過想象與推理,可確定一個(gè)NaCl晶胞中含Na+和Cl-的個(gè)數(shù)分別為__________、__________。 (3)釔鋇銅復(fù)合氧化物超導(dǎo)體有著與鈣鈦礦相關(guān)的晶體結(jié)構(gòu),若Ca、Ti、O形成如C圖所示的晶體,其化學(xué)式為__________。 (4)石墨晶體結(jié)構(gòu)如D圖所示,每一層由無數(shù)個(gè)正六邊形構(gòu)成,則平均每一個(gè)正六邊形所占有的碳原子數(shù)為__________,C—C鍵數(shù)為__________。 (5)晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體,如E圖。其中含有20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角,每個(gè)頂角上各有1個(gè)原子。試觀察E圖,推斷這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元所含硼原子個(gè)數(shù)、鍵角、B—B鍵的個(gè)數(shù)依次為__________、__________、__________。 解析 (1)陽離子數(shù)=1,陰離子數(shù)=8×=1,即=。 (2)Na+=8×+6×=4,Cl-=12×+1=4。 (3)Ca原子數(shù)=8×=1,Ti原子數(shù)=1,O原子數(shù)=12×=3,所以化學(xué)式為CaTiO3。 (4)C原子數(shù)=6×=2,C—C鍵數(shù)=6×=3。 (5)B原子數(shù)=20×3×=12,等邊三角形的鍵角為60°,B—B鍵數(shù)=20×3×=30。 答案 (1)11 (2)4 4 (3)CaTiO3 (4)2 3 (5)12 60° 30 考點(diǎn)4 有關(guān)晶體的計(jì)算 1.晶胞中微粒個(gè)數(shù)的計(jì)算 用均攤法解析晶體的計(jì)算 均攤法:是指每個(gè)圖形平均擁有的粒子數(shù)目。如某個(gè)粒子為n個(gè)圖形(晶胞)所共有,則該粒子有屬于一個(gè)圖形(晶胞)。 (1)長方體形(正方體形)晶胞中不同位置的粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn) ①處于頂點(diǎn)的粒子,同時(shí)為8個(gè)晶胞共有,每個(gè)粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為。 ②處于棱上的粒子,同時(shí)為4個(gè)晶胞共有,每個(gè)粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為。 ③處于面上的粒子,同時(shí)為2個(gè)晶胞共有,每個(gè)粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為。 ④處于體內(nèi)的粒子,則完全屬于該晶胞,對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)為1。 (2)非長方體形(正方體形)晶胞中粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(diǎn)(1個(gè)碳原子)對(duì)六邊形的貢獻(xiàn)為1/3。 2.晶體的密度及微粒間距離的計(jì)算 若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1 mol晶胞中含有x mol微粒,其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對(duì)“分子”質(zhì)量);又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為ρ a3 g(a3為晶胞的體積),則1 mol晶胞的質(zhì)量為ρ a3NA g,因此有xM=ρ a3NA。 題組訓(xùn)練 11.如圖是甲、乙、丙三種晶體的晶胞,則甲晶體中x與y的個(gè)數(shù)比是________,乙中a與b的個(gè)數(shù)比是________,丙中一個(gè)晶胞中有________個(gè)c離子和________個(gè)d離子。 解析 甲中N(x):N(y)=1:=2:1;乙中N(a):N(b)=1:=1:1;丙中N(c)=12×+1=4,N(d)=8×+6×=4。 答案 2:1 1:1 4 4 12.下圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖:(陽離子,陰離子)以M代表陽離子,以N表示陰離子,寫出各離子晶體的組成表達(dá)式: A________、B________、C________。 解析 在A中,含M、N的個(gè)數(shù)相等,故組成為MN;在B中,含M:×4+1=(個(gè)),含N:×4+2+4×=(個(gè)),MN==13;在C中含M:×4=(個(gè)),含N為1個(gè)。 答案 MN MN3 MN2 13.某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,X()位于立方體的頂點(diǎn),Y(○)位于立方體的中心。試分析: (1)晶體中每個(gè)Y同時(shí)吸引______個(gè)X。 (2)該晶體的化學(xué)式為________。 (3)設(shè)該晶體的摩爾質(zhì)量為M g·mol-1,晶體的密度為ρ g·cm-3,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則晶體中兩個(gè)距離最近的X之間的距離為________cm。 解析 (1)從晶胞結(jié)構(gòu)圖中可直接看出,每個(gè)Y同時(shí)吸引4個(gè)X。 (2)在晶胞中,平均包含X:4×=,平均包含Y:1,所以在晶體中X和Y的個(gè)數(shù)之比為12,晶體的化學(xué)式為XY2或Y2X。 (3)摩爾質(zhì)量是指單位物質(zhì)的量的物質(zhì)的質(zhì)量,數(shù)值上等于該物質(zhì)的相對(duì)分子(或原子)質(zhì)量。由題意知,該晶胞中含有1/2個(gè)XY2或Y2X,設(shè)晶胞的邊長為a cm,則有ρa(bǔ)3NA=M,a= ,則晶體中兩個(gè)距離最近的X之間的距離為 cm。 答案 (1)4 (2)XY2或Y2X (3) 14.鑭鎳合金、銅鈣合金及鈰鈷合金都具有相同類型的晶胞結(jié)構(gòu)XYn,它們有很強(qiáng)的儲(chǔ)氫能力,其中銅鈣合金的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖。試回答下列問題: (1)在周期表中Ca處于周期表________區(qū)。 (2)銅原子的基態(tài)原子核外電子排布式為________________。 (3)已知鑭鎳合金LaNin晶胞體積為9.0×10-23 cm3,儲(chǔ)氫后形成LaNinH4.5的合金(氫進(jìn)入晶胞空隙,體積不變),則LaNin中,n=________(填數(shù)值);氫在合金中的密度為__________。 解析 (1)Ca位于第四周期第ⅡA族,處于s區(qū)。 (2)Cu的外圍電子構(gòu)型是3d104s1,而不是3d94s2。 (3)銅、鈣合金中,N(Cu)=12×+6×+6=15。N(Ca)=12×+2×=3,==,所以n=5,即LaNi5H4.5。ρ·9.0×10-23 cm3·NA=M,其中氫在合金中的密度為≈0.083 g·cm-3。 答案 (1)s (2)[Ar]3d104s1 (3)5 0.083 g·cm-3

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