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1、 射線檢測的物理基礎(chǔ) 射線檢測的物理基礎(chǔ)1.1 射線的產(chǎn)生及性質(zhì)1.1 射線的產(chǎn)生及性質(zhì)1.1.1 射線的分類 射線是宏觀上直線高速運(yùn)動的微觀粒子流。物理學(xué)上的射線又稱輻射。射線種類很多，其性質(zhì)、產(chǎn)生機(jī)理、與物質(zhì)作用時的行為也各不相同，有人為產(chǎn)生的射線，也有客觀存在的射線。按射線粒子是否帶有電荷可做如下分類：1、帶有電荷的射線 帶有電荷的射線種類很多。根據(jù)所帶電荷性質(zhì)不同又可把它們分為帶正電荷的射線和帶負(fù)電荷的射線。前者如：射線、質(zhì)子射線等；后者如射線（電子束）等。2、不帶電荷的射線這類射線如 x 射線、射線、中子射線等。這些微觀粒子本身都不帶電荷，其中中子射線是一種實際存在的物質(zhì)粒子，有質(zhì)量

2、、大??；而 x、射線是沒有靜止質(zhì)量、幾何尺寸，但有一定能量的光量子。實質(zhì)上，x、射線的本質(zhì)都是電磁波的一部分。如圖 1-1 所示：輻射波長 單位:埃()106 105 104 103 102 10 1 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5 (105)(104)(103)(102)(10)(1)(10-1)(10-2)(10-3)(10-4)(10-5)(10-6)nm 可 x 射線 無線電波 紅外線 見 紫外線 射線 宇宙射線 光圖 1-1 電磁波譜 因為 x、射線不帶電荷，沒有質(zhì)量，所以它們不受電磁場的影響，在與物質(zhì)作用時有較強(qiáng)的穿透力，一般射線探傷用的都是 x、射線，而中子射線

3、和高能射線探傷只在很小范圍內(nèi)使用，所以這里只對 x、射線進(jìn)行討論。1.1.2 射線的產(chǎn)生1、X 射線（亦稱“倫琴射線”）的產(chǎn)生 根據(jù)經(jīng)典的電磁理論，高速運(yùn)動的帶電粒子受阻會產(chǎn)生電磁輻射，亦稱韌致輻射。在射線管兩極高電壓的作用下，從陰極發(fā)出的電子會得到加速，高速運(yùn)動的電子在受到陽極靶的阻遏時將產(chǎn)生韌致輻射，使一部分能量轉(zhuǎn)變成 x 射線，而絕大部分則以熱能形式釋放出來。產(chǎn)生 x 射線的基本條件：(1)要有一定數(shù)量的電子(2)電子向一定方向高速運(yùn)動(3)在電子前進(jìn)的路徑上，有阻止電子運(yùn)動的障礙物。2、射線的產(chǎn)生質(zhì)子數(shù)相同而中子數(shù)不同的元素稱為同位素。同位素有穩(wěn)定和不穩(wěn)定兩種，不穩(wěn)定同位素也叫放射性同

4、位素，它會自發(fā)蛻變，變成另一種元素，同時放出各種射線，這種現(xiàn)象稱為放射性衰變。射線是放射性同位素經(jīng)過衰變（或）后，從激發(fā)態(tài)向穩(wěn)定態(tài)過度的過程中，從原子核內(nèi)發(fā)出的。以放射性同位素 Co60 為例，Co60 經(jīng)過一次衰變成為處于 2.5 兆電子伏特激發(fā)態(tài)的Ni60，隨后放出能量分別為 1.17MeV 和 1.33MeV 的兩種射線而躍遷到基態(tài)。1.1.3 射線的特性1、射線的能量與強(qiáng)度能量是指單個的光量子的能量或多個光量子的能量的平均值。光量子的能量（E）與頻率（）成正比。E=h=hc/(1.1)式中 射線的波長 c 射線傳播速度 h普朗克常數(shù)(h=6.62510-34)X 射線的能量由射線管兩端

5、所加的電壓決定。射線的能量由放射性同位素的種類決定。一種放射性同位素可能放出許多種能量的射線，對此取其所輻射的所有能量的平均值作為該同位素的輻射能量。例如 Co60 的平均能量為（1.17+1.33）/2=1.25MeV。能量越高,線質(zhì)越硬,穿透力越強(qiáng)。x、射線的強(qiáng)度是指單位時間內(nèi)通過單位面積的所有光量子的能量和。2、射線的譜線特征 （1）X 射線X 射線是由于韌致輻射所產(chǎn)生的，所以 它的本質(zhì)是電磁波，圖 1-2 是 x 射線的波譜分布圖，從 圖 中 可 以 看 出 x 射 線 分 為 連 續(xù) 譜 和標(biāo)識譜（特征譜）。0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 波長 10相 對 8強(qiáng) 6 度

6、4 2 鎢靶 35KV (Z=74)鉬靶 35KV(Z=42)當(dāng)電子（撞擊陽極靶）能量（kev）不超過某一限定（靶金屬 k 層結(jié)合能）時，僅為連續(xù)譜；如超過某一限度則除連續(xù)譜以外，還迭加一些標(biāo)識譜。圖 1-2 x 射線波譜分存布 連續(xù)譜的產(chǎn)生及特點 大量電子與靶相撞，減速過程各不相同，少量電子經(jīng)一次減速就失去全部動能，而大多數(shù)電子經(jīng)多次制動逐步喪失動能，這就使得能量轉(zhuǎn)換過程中所發(fā)出的電磁輻射可以具有各種波長，因此 x 射線的波譜呈連續(xù)分布。連續(xù)譜存在著一個最短波長min,其數(shù)值只依賴于外加電壓 V 而與靶材料無關(guān)，如果一個電子在電場中得到動能 E=eV 與靶一次撞擊,這些動能全部轉(zhuǎn)換為輻射能，

7、則輻射的波長可按下式計算。E=eV=h=hc/min (1.2)則 )A()kV(V4.12)m(V104.12eVhc7min (1.3)式中：h普朗克常數(shù)(h=6.62510-34)；C光速(c=3108m)；e電子 電量(e=1.610-19)；V管電壓(單位：千伏)連續(xù)譜中最大強(qiáng)度對應(yīng)的波長 IM=1.5min (1.4)在實際檢測中，以最大強(qiáng)度波長IM為中心的鄰近波段的射線起主要作用。連續(xù) x 射線的總強(qiáng)度 IT可用連續(xù)譜曲線下所包含的面積表示（積分法）。試驗證明，IT與管電流 i，管電壓 V，靶材料原子序數(shù) Z 有以下關(guān)系：IT=KiiZV2 (1.5)式中，Ki比例常數(shù)，Ki1.

8、11.4109 管電流越大，表明單位時間撞擊靶的電子數(shù)越多；管電壓增加時，雖然電子數(shù)目未變，但每個電子所獲得的能量增大，因而短波成份射線增加，且碰撞發(fā)生的能量轉(zhuǎn)換過程增加；靶材料的原子序數(shù)越高，核庫侖場越強(qiáng)，韌致輻射作用越強(qiáng)，所以靶一般采用高原子序數(shù)的鎢制作。上述關(guān)系可參見圖 1-2 和 1-3。相 相 對 對 強(qiáng) 強(qiáng) 度 度 I I min min1min2 10mA 5mA 8 10mA 200KV 100KV 100KV (a)不同管電流 (b)不同管電壓圖 1-3 x 射線譜 X 射線的產(chǎn)生效率等于連續(xù) x 射線的總強(qiáng)度 IT與管電壓 V 和管電流 i 的乘積之比，即：VZKiViZV

9、KVIi2iIT (1.6)可見 x 射線的產(chǎn)生效率與管電壓和靶材料原子序數(shù)成正比。在其他條件相同的情況下，管電壓越高，x 射線的產(chǎn)生效率越高；管電壓的高壓波形越近恒壓，x 射線的產(chǎn)生效率也越高。當(dāng)電壓為 100KV 時，x 射線的轉(zhuǎn)換效率約為 1%，而產(chǎn)生 4MeVx 射線的加速器，其轉(zhuǎn)換效率約為 36%。由于輸入能量絕大部分轉(zhuǎn)換為熱能，所以 x 射線管必須有良好的冷卻裝置，以保證陽極不被燒壞。標(biāo)識譜的產(chǎn)生和特點 當(dāng) x 射線管兩端所加的電壓超過某個臨界值 VK時，波譜曲線上除連續(xù)譜外，還將在特定波長位置出現(xiàn)強(qiáng)度很大的線狀譜線，這種線狀譜的波長只依賴于陽極靶面的材料，而與管電壓和管電流無關(guān)，

10、因此，把這種標(biāo)識靶材料特征的波譜稱為標(biāo)識譜，VK稱為激發(fā)電壓。不同靶材的激發(fā)電壓各不相同，例如圖 1-2 中，管電壓 35KV 時，低于鎢的激發(fā)電壓（Vk=69.34KV）高于鉬的激發(fā)電壓（Vk=20.0KV）,所以，鉬靶的波譜上有標(biāo)識譜而鎢靶的波譜上沒有標(biāo)識譜。標(biāo)識 x 射線強(qiáng)度只占 x 射線總強(qiáng)度極少一部分，能量也很低，所以在工業(yè)射線檢測中，標(biāo)識譜不起什么作用。（2）射線射線的光譜稱為線狀譜，譜線只出現(xiàn)在特定波長的若干點上。如圖。1.0 相 0.8 1.17Mev 1.33Mev對 0.6強(qiáng) 0.4度 0.2 0.5 1.0 1.5 2.0(Mev)衰變規(guī)律及半衰期 放射性同位素的原子核衰

11、變是自發(fā)進(jìn)行的，對于任意一個放射性核，它何時衰變具有偶然性，不可預(yù)測，但對于足夠多的放射性核的集合，它的衰變規(guī)律服從統(tǒng)計規(guī)律，是十分確定的。放射性同位素衰變掉原有核一半所需時間，稱為半衰期，用 T1/2表示，當(dāng) t=T1/2時,N=N0/2,由式（1.8）式可得 T1/2=ln2/=0.693/(1.9)T1/2也反映了放射性物質(zhì)的固有屬性，值越大，T1/2越小。幾種常用源探傷常用的源目前多采用人工放射性同位素制造,通常所用源有 Co60(鈷)、Cs137(銫)、Ir192(銥)、Tm170(銩)等,其特性與參數(shù)見表 2-2。1.1.4 X 射線和射線的性質(zhì) 1、X 射線、射線的性質(zhì) X 射線

12、、射線就其本質(zhì)而言都是電磁波，正因它們是比可見光波長更短的電磁波，所以除了具有一些可見光所具有的特性外，還有其特有的性質(zhì)，概括起來，它們有如下性質(zhì)：(1)不可見，以光速直線傳播。(2)不帶電荷，不受電磁場的干擾。(3)能穿透金屬等可見光不能穿透的物質(zhì)。(4)有反射、折射、衍射、干射現(xiàn)象，但不太明顯。(5)能被物質(zhì)吸收和散射。(6)能使氣體電離。(7)能使某些物質(zhì)發(fā)生熒光作用。(8)能使膠片感光。(9)能殺傷有生命的細(xì)胞。2、X 射線、射線在探傷應(yīng)用中的比較 X 射線、射線它們的相同點是都屬于電磁波，而不同之處在于它們產(chǎn)生機(jī)理不同。X射線是由于高速運(yùn)動的電子被阻遏時的躍遷產(chǎn)生的，而射線是由于放射

13、性同位素在自發(fā)衰變時原子核能級之間的躍遷產(chǎn)生的。正是由于它們的產(chǎn)生機(jī)理不同，所以它們在探傷中就各有優(yōu)缺點。(1)x 射線可通過調(diào)節(jié)管電壓、管電流透照在穿透情況下的任意厚度，而射線的能量只取決于源的種類，對同種源來講射線能量和穿透能力一般是固定的。(2)射線與 x 射線相比，它的波長更短，穿透能力更強(qiáng)。但物質(zhì)對射線的吸收要比 x射線弱，所以用射線拍出的底片對比度小。又因為射線源的焦點就是放射性同位素的幾何尺寸，所以往往焦點比 x 射線機(jī)焦點要大，所以得到底片的幾何不清晰度較大。(3)射線源發(fā)出的射線在整個空間中都有，而對 x 射線機(jī)即使周向機(jī)也只有在一個環(huán)周上有射線的存在，所以對于大型容器，尤其

14、是球型容器，射線的效率要比 x 射線機(jī)的效率高。(4)因為 x 射線機(jī)受電力支配，而射線源不需電源，不需冷卻，所以對于缺少電源缺少自來水的現(xiàn)場工地，射線比 x 射線機(jī)更方便,更因為射線源比一般 x 射線機(jī)要小巧,所以對一些形狀特殊的工作,射線探傷更是顯出其優(yōu)越性。(5)因為射線射線設(shè)備不能隨意關(guān)閉，所以從安全因素上對環(huán)境污染與操作方面十分麻煩，防護(hù)與管理上的要求也更高。1.2 射線與物質(zhì)的相互作用1.2 射線與物質(zhì)的相互作用 射線通過物質(zhì)時，會與物質(zhì)發(fā)生相互作用而強(qiáng)度減弱，導(dǎo)致強(qiáng)度減弱的原因可分為兩類，即吸收和散射。吸收是一種能量轉(zhuǎn)換，光子的能量被物質(zhì)吸收后變?yōu)槠渌问降哪芰浚簧⑸鋾构庾拥倪\(yùn)

15、動方向改變。在 x 射線和射線能量范圍內(nèi)，光子與物質(zhì)作用的主要形式有：光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、電子對效應(yīng)，當(dāng)光子能量較低時，還必須考慮瑞利散射。射線通過物質(zhì)時的強(qiáng)度衰減遵循指數(shù)規(guī)律，衰減情況不僅與吸收物質(zhì)的性質(zhì)和厚度有關(guān)，而且還取決于輻射自身的性質(zhì)。1.2.1 光電效應(yīng) 當(dāng)光子與物質(zhì)原子的束縛電子作用時，光子把全部能量轉(zhuǎn)移給某個束縛電子，使之發(fā)射出去，而光子本身消失掉，這一過程稱為光電效應(yīng)，光電效應(yīng)發(fā)射出的電子叫光電子，該過程如圖 1-5 所示。原了吸收了光子的全部能量,其中一部分消耗于光電子脫離原子束縛所需的電離能(電子在原子中的結(jié)合能),另一部分就作為光電子的動能。所以，發(fā)生光電效應(yīng)的前提條

16、件是光子能量必須大于電子的結(jié)合能。釋放出來的光電子能量 Ee與入射光子能量 h以及電子所在殼層的結(jié)合能 Ei之間有如下關(guān)系：Ee=h-Ei （1.10）光電效應(yīng)的發(fā)生幾率與射線能量和物質(zhì)原子序數(shù)有關(guān),它隨著光子能量增大而減小,隨著原子序數(shù) Z 的增大而增大。原子核 原子 反沖電子 e 入射光子 h 入射光子 h 電子 e-光電子 散射光子 h 圖 1-5 光電效應(yīng)的示意圖 圖 1-6 康普頓效應(yīng)的示意圖1.2.2 康普頓效應(yīng) 在康普頓效應(yīng)中,光子與電子發(fā)生非彈性碰撞,一部分能量轉(zhuǎn)移給電子,使它成為反沖電子,而散射光子的能量和運(yùn)動方向發(fā)生變化,如圖 1-6 所示,h和 h為入射和散射光子能量,為

17、散射光子與入射光子方向間夾角,稱為散射角,為反沖電子的反沖角?？灯疹D效應(yīng)總是發(fā)生于自由電子或原子的束縛最松的外層電子上，入射光子的能量和動量由反沖電子和散射光子兩者之間進(jìn)行分配，散射角越大，散射光子的能量越小，當(dāng)散射角為 1800時，散射光子能量最小?？灯疹D效應(yīng)的發(fā)生機(jī)率大致與物質(zhì)原子序數(shù)成正比，與光子能量成反比。1.2.3 電子對效應(yīng) 當(dāng)光子從原子核旁經(jīng)過時，在原子核的庫侖場作用下，光子轉(zhuǎn)化為一個正電子和一個負(fù)電子，這種過程稱為電子對效應(yīng)，如圖 1-7 所示。根據(jù)能量守恒定律，只有當(dāng)入射光子能量 h大于 2m0C2即 h1.02MeV 時，才能發(fā)生電子對效應(yīng)，入射光子的能量除一部分轉(zhuǎn)變?yōu)檎?fù)

18、電子對的靜止質(zhì)量（1.02MeV）外,其余就作為它們的動能。與光電效應(yīng)相似，電子對效應(yīng)除涉及入射光子和電子對外，必須有一個第三者原子核參加，才能滿足動量和能量守恒。e+原子核 正負(fù)電子對 入射光子 h e_ 圖 1-7 在原子核庫侖場中的電子對效應(yīng) 電子對效應(yīng)產(chǎn)生的快速正電子和電子一樣,在吸收物質(zhì)中通過電離損失和輻射損失消耗能量,很快被慢化,然后與吸收物質(zhì)中一個電子相互轉(zhuǎn)化為兩個能量為 0.51MeV 的光子,這種現(xiàn)象稱電子對湮沒。1.2.4 瑞利散射 瑞利散射是入射光子和束縛較牢固的內(nèi)層軌道電子發(fā)生的彈性散射過程(也稱為電子的共振散射)。在此過程中，一個束縛電子吸收入射光子而躍遷到高能級，隨

19、即又放出一個能量約等于入射光子能量的散射光子，由于束縛電子未脫離原子，故反沖體是整個原子，從而光子的能量損失可忽略不計。瑞利散射是相干散射的一種，所謂相干散射，是指散射線與入射線具有相同波長，從而能夠發(fā)生干涉的散射過程。瑞利散射的幾率和物質(zhì)的原子序數(shù)及入射光子的能量有關(guān)，大致與物質(zhì)原子序數(shù) Z 的平方成正比，并隨入射光子能量的增大而急劇減小。當(dāng)入射光子能量在 200KV 以下時，瑞利散射的影響不可忽略。1.2.5 各種相互作用發(fā)生的相對幾率 光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)、電子對效應(yīng)的發(fā)生幾率與物質(zhì)的原子序數(shù)和入射光子能量有關(guān)，對于不同物質(zhì)和不同能量區(qū)域，這三種效應(yīng)的相對重要性不同，圖 1-8 表示各種

20、效應(yīng)占優(yōu)勢的區(qū)域,可以看出:1.對于低能量射線和原子序數(shù)高的物質(zhì),光電效應(yīng)占優(yōu)勢。2.對于中等能量射線和原子序數(shù)低的物質(zhì)，康普頓效應(yīng)占優(yōu)勢。3.對于高能量射線和原子序數(shù)高的物質(zhì)，電子對效應(yīng)占優(yōu)勢。80 (%)100 z 60 80 60 40 40 20 20 0.01 0.1 1 10 100 1 2 5 1 2 5 1 2 5 1 2 5 E (MeV)0.01 0.1 1 10 100 圖 1-8 按光子能量和原子序數(shù)來表示的 光子能量(MeV)三種相互作用占優(yōu)勢的區(qū)域 圖 1-9 鐵中各種效應(yīng)的發(fā)生幾率 圖 1-9 表示射線與鐵相互作用時,各種效應(yīng)的發(fā)生幾率,由圖中可見看出:當(dāng)光子能量

21、為10KeV 時,光電效應(yīng)占優(yōu)勢,隨著能量的增大,光電效應(yīng)逐漸減小,而康普頓效應(yīng)的作用卻逐光電效應(yīng) 電子對效應(yīng)占優(yōu)勢 占優(yōu)勢 康普頓效應(yīng) 占優(yōu)勢 C e 漸增大,稍過 100KeV,兩種效應(yīng)相等,瑞利散射在此能量附近發(fā)生比率達(dá)到最大,但也不超過10%。在 1MeV 左右，射線強(qiáng)度的衰減幾乎都是康普頓效應(yīng)造成的。光子能量繼續(xù)增大，由電子對效應(yīng)引起的吸收逐漸增大，在 10MeV 左右，電子效應(yīng)與康普頓效應(yīng)作用大致相等。超過10MeV 以后，電子對效應(yīng)的比率越來越大。各種效應(yīng)對射線照相質(zhì)量產(chǎn)生不同的影響。例如，光電效應(yīng)和電子對效應(yīng)引起的吸收有利于提高照相對比度，而康普頓效應(yīng)產(chǎn)生的散射則會降低對比度。

22、對輕金屬試件照相質(zhì)量往往比重金屬試件照相質(zhì)量差。使用 1MeV 左右能量的射線照相，其對比度往往不如較低能量射線或更高能量射線，這些都是康普頓效應(yīng)的影響造成的。1.3 射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律1.3 射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律1.3.1 射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律 射線通過物質(zhì)后,總強(qiáng)度衰減了,射線強(qiáng)度的衰減來自于兩個方面吸收和散射。當(dāng)射線通過物質(zhì)時，隨著貫穿行程的增加，射線強(qiáng)度衰減增大。射線的衰減程度不僅與穿透物質(zhì)的厚度有關(guān)，而且還與射線的線質(zhì)（即能量）有關(guān)，與物質(zhì)的密度和原子序數(shù)等都有關(guān)。一般來說，射線的波長越短，能量越大，衰減就越小，物質(zhì)的原子序數(shù)越大，密度越大，衰減就越大。

23、但它們之間并不是簡單的直線關(guān)系，而是呈指數(shù)規(guī)律衰減。對于單色單束（一種頻率的平行射線束）它在物質(zhì)中的衰減規(guī)律為：I=I0e-T (1.11)式中：I0入射線的初始強(qiáng)度值，I射線通過物質(zhì)層 T 以后的強(qiáng)度，物質(zhì)對射線的衰減系數(shù)，T通過物質(zhì)層的厚度，e自然對數(shù)的底。在實際探傷工作中使用的 x 射線和射線，并非是理想的單色單束，x 射線為多色多束，而射線為單色多束，對于多色多束射線來說它的衰減規(guī)律和單色單束射線在物質(zhì)中的傳播規(guī)律是有區(qū)別的。首先，探傷時所使用的射線一般為連續(xù)射線，這就使得衰減系數(shù)實際上是個變量，在射線穿過物質(zhì)的初始部分，值較大，隨著穿透層的深入，射線的線質(zhì)逐漸變硬，衰減系數(shù)也就減小了

24、?？紤]到這種情況，衰減系數(shù)可取平均值。實質(zhì)上探傷時射線還是寬束的，這就必須考慮散射線的影響，因為散射線的作用結(jié)果使穿過物質(zhì)后射線強(qiáng)度還應(yīng)包括散射線成分。即實際通過物質(zhì) T 層后，射線強(qiáng)度為垂直透過的射線強(qiáng)度 Ip和散射線強(qiáng)度 Is的和，即：I=Ip+Is 考慮了多束色情況后，（并引入散射比 n）表示射線在物質(zhì)中的衰減規(guī)律的1-11 式可修正為：I=(1+n)I0e-T (1.12)式中，n 為散射比，它是散射占垂直透過射線強(qiáng)度的比。即 n=Is/Ip1.3.2 衰減系數(shù)與半價層在式（1-11）中，為衰減系數(shù)，它的物理意義是單位射線強(qiáng)度在穿過單位物質(zhì)厚度時的衰減量，也稱它為線衰減系數(shù)。因為導(dǎo)致射

25、線強(qiáng)度衰減的有吸收和散射效應(yīng)，所以線衰減系數(shù)是三個效應(yīng)對強(qiáng)度衰減的貢獻(xiàn)之和，即：=+c+e (1.13)式中，光電效應(yīng)對衰減系數(shù)的貢獻(xiàn)，c康普頓散射對衰減系數(shù)的貢獻(xiàn)，e電子對效應(yīng)對衰減系數(shù)的貢獻(xiàn)。線衰減系數(shù)是入射光量子的能量（h）和穿過物質(zhì)的原子序數(shù) Z 的函數(shù)。K.Z3 (1.14)K-比例系數(shù) -射線波長 Z-被透物質(zhì)的原子序數(shù) 射線能量越大，物質(zhì)原子序數(shù)越小，線衰減系數(shù)就越小，相反，射線能量越低，穿過物質(zhì)的原子序數(shù)越大，線衰減系數(shù)越大。半價層：射線在物質(zhì)中傳播時，強(qiáng)度強(qiáng)度衰減到原來的一半時穿過物質(zhì)的厚度。有時也叫半階層。如果用 H1/2來表示半價層，它與線衰減系數(shù)關(guān)系如下：由（1-11）式可得：2/1H00eII21 經(jīng)數(shù)學(xué)整理后得到：H1/2=0.693/(1.15)即射線穿過物質(zhì)的半價層與物質(zhì)對這種射線的衰減系數(shù)的乘積為一常數(shù).物質(zhì)對射線的衰減系數(shù)越大,它的半價層就越小,相反,物質(zhì)對射線的衰減系數(shù)越小,其半價層厚度就越大。