《太陽(yáng)能發(fā)電原理及應(yīng)用講座3工藝》由會(huì)員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《太陽(yáng)能發(fā)電原理及應(yīng)用講座3工藝（42頁(yè)珍藏版）》請(qǐng)?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。

1、,單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級(jí),第三級(jí),第四級(jí),第五級(jí),*,第三章,.,晶體太陽(yáng)電池制造工藝,光伏產(chǎn)業(yè)鏈,一,.,硅材料制備工藝流程,(,西門(mén)子法,),硅砂,冶金硅,三氯氫 硅,多晶硅,鹽酸,電爐,焦碳,還原,硅太陽(yáng)電池制造過(guò)程,硅片制備,1.,由硅砂到冶金硅,將石英砂放在大型電弧爐中,用焦碳進(jìn)行還原,。,SiO,2,+2C Si+2CO,硅定期從爐中倒出,并用氧氣或氧,-,氯 混合氣體吹之以進(jìn)一步提純,。,然后倒入淺槽,逐漸凝固,便成冶金硅,(,含硅,97%-99%),2.,由冶金硅到三氯氫硅,將冶金硅破碎成粉末,與鹽酸在液化床上進(jìn)行反應(yīng),得到三氯氫硅,(TCS

2、),。,Si+3HCl SiHCl,3,+H,2,3.,由三氯氫硅到多晶硅,對(duì)三氯氫硅進(jìn)行分餾,以達(dá)到超純狀態(tài)。,對(duì)超純?nèi)葰涔栌?H,2,通過(guò)化學(xué)氣相沉積,(CVD),方法還原成多晶硅。,SiHCl,3,+H,2,Si+3HCl,4.,多晶硅錠的制造,由西門(mén)子法得到的多晶硅棒,因未摻雜等原因,不能直接用來(lái)制造太陽(yáng)電池,。,將熔化的硅經(jīng)過(guò)定向凝固后,即可獲得摻雜均勻,晶粒較大,成纖維狀的多晶硅鑄錠,。,由硅砂到太陽(yáng)電池組件,5.,單晶硅棒的制造,(1),切克勞斯基,(CZ),法,在單晶爐中將硅熔化,并將籽晶引向融熔的硅液,然后一邊旋轉(zhuǎn),一邊提拉,融熔的硅就在同一方向定向凝固,得到單晶硅棒。,摻

3、雜可在熔化硅之前進(jìn)行,利用許多雜質(zhì)在硅凝固和熔化時(shí)的溶解度之差,使一些有害雜質(zhì)濃集于底部,可以起到純化作用。,切氏,(CZ),法和區(qū)溶,(FZ),法制單晶,(2),區(qū)熔,(FZ),法,用水冷的高頻線圈環(huán)繞硅單晶棒,使硅棒內(nèi)產(chǎn)生渦電流而自身加熱,使硅棒局部熔化,出現(xiàn)浮區(qū),及時(shí)緩慢移動(dòng)高頻線圈,同時(shí)硅棒旋轉(zhuǎn),使熔化的硅重新結(jié)晶。利用硅中雜質(zhì)的分凝現(xiàn)象,提高了硅的純度。反復(fù)移動(dòng)高頻線圈,可使得硅棒中段不斷提純。最后得到高純的單晶硅棒。,5.,帶狀晶體硅的制造,定邊喂膜,(EFG),法,與直拉方法相似,在坩堝中使融熔的硅從能潤(rùn)濕硅的模具狹縫中通過(guò)而引出單晶硅帶,。,多晶硅片和硅帶制備,6.,非晶硅膜的

4、制造,利用化學(xué)氣相沉積,(CVD),法或物理氣相沉積,(PVD),法，可以得到非晶硅膜。,(CVD),法有,:,熱化學(xué)氣相沉積法；,輝光放電法；,光化學(xué)氣相沉積法。,(PVD),法有,:,濺射法；,電子蒸發(fā)法。,二,.,晶體硅電池片制造工藝,工藝流程,硅片制備,清洗腐蝕,擴(kuò)散制結(jié),去背結(jié),電極制備,去邊,制減反膜,燒結(jié),檢測(cè),2.,硅片制備,選擇硅片時(shí)，要考慮硅材料的導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、晶向、位錯(cuò)、少子壽命等。將符合要求的圓形單晶硅棒切割成厚度為,0.2-0.4mm,的硅片，并切去四邊成方形。,對(duì)于多晶硅錠先進(jìn)行破錠，再按要求切片。,在經(jīng)過(guò)切、磨、拋、及腐蝕等工序后，硅材料一般要損失,60%,左

5、右。,3.,表面清洗腐蝕,用有機(jī)溶劑,(,如甲苯等,),初步去油，再用熱硫酸作化學(xué)清洗，去除沾污的雜質(zhì)。,在酸性或堿性腐蝕液中進(jìn)行表面腐蝕，去除表面的切片機(jī)械損傷，每面大約腐蝕掉,30-50,m,。,再用王水或其他其它清洗液進(jìn)行化學(xué)清洗。,每道工序后都要用高純的去離子水沖洗。,4.,擴(kuò)散制結(jié),是制造太陽(yáng)電池的關(guān)鍵工序,方法有熱擴(kuò)散；離子注入；外延；激光或高頻電注入等。,一般常用熱擴(kuò)散方法。,熱擴(kuò)散方法有,:,涂布源擴(kuò)散，又分簡(jiǎn)單涂布源擴(kuò)散和二 氧化硅乳膠源涂布擴(kuò)散；,液態(tài)源擴(kuò)散；,固態(tài)源擴(kuò)散。,5.,去背結(jié),在高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，硅片的背面也形成了,p-n,結(jié)，所以要把背結(jié)去除。,常用的方法有化學(xué)

6、腐蝕法；磨砂法和蒸鋁燒結(jié)法。,6.,制作上、下電極,上電極通常是柵線狀，以收集光生電流。下電極布滿(mǎn)在電池的背面，以減少電池的串聯(lián)電阻。,制作方法有真空蒸鍍、化學(xué)鍍膜、鋁漿印刷燒結(jié)等。目前主要用鋁漿印刷燒結(jié)。,用滌綸薄膜制成所需電極圖形的掩膜，貼在絲網(wǎng)上，然后套在硅片上用銀、鋁漿印刷，再在真空和保護(hù)氣氛中燒結(jié)。,用化學(xué)鍍鎳制備下電極。,7.,腐蝕周邊,在擴(kuò)散時(shí),硅片的周邊也形成擴(kuò)散層,可能產(chǎn)生局部短路,使電池的并聯(lián)電阻下降,影響電池性能。,可以將硅片的兩邊涂黑膠、粘貼耐酸膠帶或擠壓后放入腐蝕液中,不到,1,分鐘,即可取出洗凈。,目前常用等離子干法腐蝕，在輝光放電條件下去除含有擴(kuò)散層的周邊。,8.

7、,制減反膜,硅表面反射損失率大約為,1/3,。為了減少這部分損失，可采用減反射膜。,減反射膜材料常用：,SiO,2,、,TiO,2,、,Ta,2,O,5,等。,制備方法常用：真空鍍膜和離子鍍膜法、濺射法、印刷法、噴涂法、,PECVD,沉積法。,9.,檢測(cè)試驗(yàn),檢驗(yàn)太陽(yáng)電池性能是否合格，主要測(cè)試：太陽(yáng)電池的伏,-,安特性曲線；開(kāi)路電壓；短路電流；最大輸出功率等參數(shù)。,挑選分檔，入庫(kù)保管。,三,.,太陽(yáng)電池組件的封裝,單體太陽(yáng)電池不能直接供電,需要提供機(jī)械、電氣及化學(xué)等方面的保護(hù),。,太陽(yáng)電池組件,-,有封裝及內(nèi)部連接的、能單獨(dú)提供直流電輸出的,最小不可分割的太陽(yáng)電池組合裝置,。,組件封裝工藝流程

8、,電池分選,組合焊接,層壓封裝,測(cè)試包裝,裝接線盒,安裝邊框,白玻璃,EVA,PVF,電池,互連條,1.,電池分選,用測(cè)試儀器將不同性能參數(shù)的太陽(yáng)電池分檔，把參數(shù)相近的太陽(yáng)電池進(jìn)行組合。,串聯(lián)時(shí)要將工作電流相近的太陽(yáng)電池串在一起；并聯(lián)時(shí)要將工作電壓相近的太陽(yáng)電池連在一起。以提高太陽(yáng)電池組件的性能。,2.,組合焊接,用金屬互連條將電池的上、下電極按要求進(jìn)行焊接，并清洗干凈。,3.,層壓封裝,上蓋板常用低鐵水白鋼化玻璃，小型組件也有用聚丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂、聚碳脂等材料。,電池兩邊用,EVA,，,PVB,透明薄膜覆蓋。,電池背面常用聚氟乙烯,(PVF),復(fù)合膜。,在層壓機(jī)中抽真空加熱加壓后，冷卻，固化。,4.,安裝邊框,平板太陽(yáng)電池組件層壓封裝后必須加上經(jīng)過(guò)氧化的鋁合金邊框。邊框與粘結(jié)劑構(gòu)成對(duì)組件邊緣的密封，同時(shí)也便于與支架固定連接。,5.,裝接線盒,通常在組件背面安裝接線盒,引出正、負(fù)電極,.,接線盒要求防潮、防塵、密封,.,連接可靠,接線方便,.,6.,測(cè)試包裝,在組件測(cè)試臺(tái)上進(jìn)行性能測(cè)試，在組件背面貼上銘牌，表明組件的主要參數(shù)，如：功率、伏,-,安特性曲線、最佳工作電壓、最佳工作電流、開(kāi)路電壓、短路電流、填充因子等。,最后進(jìn)行包裝入庫(kù)。,全自動(dòng)組件生產(chǎn)線路示意圖,電池 組件 方陣,全自動(dòng)熱交換鑄錠爐,破錠機(jī),線鋸,擴(kuò)散爐,等離子刻蝕機(jī),太陽(yáng)能模擬儀,層壓機(jī),純水設(shè)備,